Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 82A | 231W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 82A | 231W
EB Kodas: EB623341892
Gamintojo prekės kodas: S2M0080120D
Gamintojo prekės kodas:
S2M0080120D
Gamintojas, prekės ženklas: SMC DIODE SOLUTIONS
Gamintojas, prekės ženklas:
SMC DIODE SOLUTIONS
20,77 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 29A |
| Pulsed drain current | 82A |
| Power dissipation | 231W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...25V |
| On-state resistance | 137mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 54nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |