Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 82A | 231W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 82A | 231W
EB Код: EB623341892
Код товара производителя: S2M0080120D
Код товара производителя:
S2M0080120D
Производитель, бренд: SMC DIODE SOLUTIONS
Производитель, бренд:
SMC DIODE SOLUTIONS
21,02 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 29A |
Pulsed drain current | 82A |
Power dissipation | 231W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -10...25V |
On-state resistance | 137mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 54nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |