Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
EB Kodas: EB1247147278
Gamintojo prekės kodas: NSF080120L3A0Q
Gamintojo prekės kodas:
NSF080120L3A0Q
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
19,82 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 25A |
| Pulsed drain current | 80A |
| Power dissipation | 183W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...22V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 52nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |