Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
EB Kood: EB1247147278
Tootja kauba kood: NSF080120L3A0Q
Tootja kauba kood:
NSF080120L3A0Q
Tootja, kaubamärk: NEXPERIA
Tootja, kaubamärk:
NEXPERIA
19,82 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 25A |
Pulsed drain current | 80A |
Power dissipation | 183W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -10...22V |
On-state resistance | 0.12Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 52nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |