Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W

EB Kods: EB1247147278

Ražotāja preces kods: 
NSF080120L3A0Q

Ražotājs, zīmols: 
NEXPERIA

19,82 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current25A
Pulsed drain current80A
Power dissipation183W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-10...22V
On-state resistance0.12Ω
MountingTHT
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced