Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 25A | Idm: 80A | 183W
EB Kods: EB1247147278
Ražotāja preces kods: NSF080120L3A0Q
Ražotāja preces kods:
NSF080120L3A0Q
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
19,82 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 25A |
| Pulsed drain current | 80A |
| Power dissipation | 183W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...22V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 52nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |