Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 40A | 123W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 40A | 123W
EB Kodas: EB2039212209
Gamintojo prekės kodas: G3R160MT12D
Gamintojo prekės kodas:
G3R160MT12D
Gamintojas, prekės ženklas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
12,71 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | G3R™ |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 16A |
Pulsed drain current | 40A |
Power dissipation | 123W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -5...15V |
On-state resistance | 0.16Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 28nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |