Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 40A | 123W

EB Kods: EB2039212209

Ražotāja preces kods: 
G3R160MT12D

Ražotājs, zīmols: 
GeneSiC SEMICONDUCTOR

12,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG3R™
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current16A
Pulsed drain current40A
Power dissipation123W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-5...15V
On-state resistance0.16Ω
MountingTHT
Gate charge28nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced