Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 1.2kV | 2.4A | Idm: 6A | 125W

EB Kodas: EB1187976334

Gamintojo prekės kodas: 
IXTP2R4N120P

Gamintojas, prekės ženklas: 
IXYS

 7,84 € 
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo. 
Užduoti klausimą
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current2.4A
Pulsed drain current6A
Power dissipation125W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance7.5Ω
MountingTHT
Gate charge37nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time920ns