Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 1.2kV | 2.4A | Idm: 6A | 125W
Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 1.2kV | 2.4A | Idm: 6A | 125W
EB Код: EB1187976334
Код товара производителя: IXTP2R4N120P
Код товара производителя:
IXTP2R4N120P
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
7,78 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Polar™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 2.4A |
Pulsed drain current | 6A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 7.5Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 37nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
Reverse recovery time | 920ns |