Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A
EB Kodas: EB1441537993
Gamintojo prekės kodas: P4F60HP2-5600
Gamintojo prekės kodas:
P4F60HP2-5600
Gamintojas, prekės ženklas: SHINDENGEN
Gamintojas, prekės ženklas:
SHINDENGEN
1,14 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 4A |
| Pulsed drain current | 16A |
| Power dissipation | 62.5W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.8Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 12.5nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |