Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A
EB Код: EB1441537993
Код товара производителя: P4F60HP2-5600
Код товара производителя:
P4F60HP2-5600
Производитель, бренд: SHINDENGEN
Производитель, бренд:
SHINDENGEN
1,14 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 4A |
Pulsed drain current | 16A |
Power dissipation | 62.5W |
Case | FTO-220AG (SC91) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 1.8Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 12.5nC |
Kind of package | bulk |
Kind of channel | enhanced |