Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A

EB Kods: EB1441537993

Ražotāja preces kods: 
P4F60HP2-5600

Ražotājs, zīmols: 
SHINDENGEN

1,14 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current4A
Pulsed drain current16A
Power dissipation62.5W
CaseFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.8Ω
MountingTHT
Gate charge12.5nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhanced