Tulkot latviski
Transistor: N-JFET/N-MOSFET | GaN | unipolar | HEMT,cascode | 650V
Transistor: N-JFET/N-MOSFET | GaN | unipolar | HEMT,cascode | 650V
EB Kodas: EB856638182
Gamintojo prekės kodas: GAN041-650WSBQ
Gamintojo prekės kodas:
GAN041-650WSBQ
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
21,79 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-JFET/N-MOSFET |
| Technology | GaN |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of transistor | cascode |
| Kind of transistor | HEMT |
| Drain-source voltage | 650V |
| Drain current | 33.4A |
| Pulsed drain current | 240A |
| Power dissipation | 187W |
| Case | SOT429 |
| Case | TO247 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 35mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | tube |