Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.17A | Idm: 0.9A | 0.31W
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.17A | Idm: 0.9A | 0.31W
EB Kodas: EB721385528
Gamintojo prekės kodas: 2N7002NXBKR
Gamintojo prekės kodas:
2N7002NXBKR
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
0,25 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.17A |
Pulsed drain current | 0.9A |
Power dissipation | 0.31W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 5.7Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |