Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 600V | 44A | 115W | TO3PN
Transistor: IGBT | 600V | 44A | 115W | TO3PN
EB Kodas: EB5584586
Gamintojo prekės kodas: GT50JR22(STA1,E,S)
Gamintojo prekės kodas:
GT50JR22(STA1,E,S)
Gamintojas, prekės ženklas: TOSHIBA
Gamintojas, prekės ženklas:
TOSHIBA
6,35 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 600V |
Collector current | 44A |
Power dissipation | 115W |
Case | TO3PN |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Pulsed collector current | 100A |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 250ns |
Turn-off time | 330ns |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |