Tulkot latviski

Transistor: IGBT | 600V | 44A | 115W | TO3PN

EB Kods: EB5584586

Ražotāja preces kods: 
GT50JR22(STA1,E,S)

Ražotājs, zīmols: 
TOSHIBA

7,16 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current44A
Power dissipation115W
CaseTO3PN
Gate-emitter voltage±25V
Pulsed collector current100A
MountingTHT
Kind of packagetube
Turn-on time250ns
Turn-off time330ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode