Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 35A | 230W | TO3PN
Transistor: IGBT | 1.2kV | 35A | 230W | TO3PN
EB Kodas: EB1486966665
Gamintojo prekės kodas: GT40QR21(STA1,E,D
Gamintojo prekės kodas:
GT40QR21(STA1,E,D
Gamintojas, prekės ženklas: TOSHIBA
Gamintojas, prekės ženklas:
TOSHIBA
5,33 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 35A |
Power dissipation | 230W |
Case | TO3PN |
Gate-emitter voltage | ±25V |
Pulsed collector current | 80A |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 0.3µs |
Turn-off time | 0.6µs |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |