Tulkot latviski

Transistor: IGBT | 1.2kV | 35A | 230W | TO3PN

EB Koodi: EB1486966665

Valmistajan tuotekoodi: 
GT40QR21(STA1,E,D

Valmistaja, merkki: 
TOSHIBA

5,33 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current35A
Power dissipation230W
CaseTO3PN
Gate-emitter voltage±25V
Pulsed collector current80A
MountingTHT
Kind of packagetube
Turn-on time0.3µs
Turn-off time0.6µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode