Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 650V | Ic: 10A
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 650V | Ic: 10A
EB Kodas: EB1296616850
Gamintojo prekės kodas: GD10PJX65F1S
Gamintojo prekės kodas:
GD10PJX65F1S
Gamintojas, prekės ženklas: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
STARPOWER SEMICONDUCTOR
36,41 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 2-4 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 2-4 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Topology | IGBT three-phase bridge OE output |
| Topology | NTC thermistor |
| Topology | three-phase diode bridge |
| Max. off-state voltage | 650V |
| Collector current | 10A |
| Case | F1.1 |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 20A |
| Technology | Trench FS IGBT |
| Mechanical mounting | screw |