Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -50A | Idm: -200A

EB Kods: EB982311292

Ražotāja preces kods: 
SISS27DN-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 1,38 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-50A
Pulsed drain current-200A
Power dissipation36W
CasePowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9mΩ
MountingSMD
Gate charge0.14µC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement