Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -50A | Idm: -200A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -50A | Idm: -200A
EB Код: EB982311292
Код товара производителя: SISS27DN-T1-GE3
Код товара производителя:
SISS27DN-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
1,38 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30V |
| Drain current | -50A |
| Pulsed drain current | -200A |
| Power dissipation | 36W |
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 9mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 0.14µC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |