Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 34A | 270W | HIP247™
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 34A | 270W | HIP247™
EB Kods: EB70361494
Ražotāja preces kods: SCT30N120
Ražotāja preces kods:
SCT30N120
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
32,38 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Technology | SiCFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 34A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 270W |
| Case | HIP247™ |
| Gate-source voltage | -10...25V |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 105nC |
| Kind of package | tube |