Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 34A | 270W | HIP247™
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 34A | 270W | HIP247™
EB Koodi: EB70361494
Valmistajan tuotekoodi: SCT30N120
Valmistajan tuotekoodi:
SCT30N120
Valmistaja, merkki: STMicroelectronics
Valmistaja, merkki:
STMicroelectronics
32,38 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Technology | SiCFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 34A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 270W |
| Case | HIP247™ |
| Gate-source voltage | -10...25V |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 105nC |
| Kind of package | tube |