Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W

EB Koodi: EB712375287

Valmistajan tuotekoodi: 
MSC080SMA120B4

Valmistaja, merkki: 
MICROCHIP TECHNOLOGY

 14,35 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current26A
Pulsed drain current90A
Power dissipation200W
CaseTO247-4
On-state resistance0.1Ω
MountingTHT
Gate charge64nC
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal