Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 55V | 550A | Idm: 2kA | 830W
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 55V | 550A | Idm: 2kA | 830W
EB Koodi: EB801717796
Valmistajan tuotekoodi: MMIX1T550N055T2
Valmistajan tuotekoodi:
MMIX1T550N055T2
Valmistaja, merkki: IXYS
Valmistaja, merkki:
IXYS
59,35 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | GigaMOS™ |
| Technology | TrenchT2™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55V |
| Drain current | 550A |
| Pulsed drain current | 2kA |
| Power dissipation | 830W |
| Case | SMPD |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 595nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Reverse recovery time | 100ns |