Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 1.2kV | 2.4A | Idm: 6A | 125W

EB Код: EB1187976334

Код товара производителя: 
IXTP2R4N120P

Производитель, бренд: 
IXYS

 7,78  
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current2.4A
Pulsed drain current6A
Power dissipation125W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance7.5Ω
MountingTHT
Gate charge37nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time920ns