Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 200V | 75A | Idm: 320A | 830W
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 200V | 75A | Idm: 320A | 830W
EB Код: EB569196818
Код товара производителя: IXTQ130N20T
Код товара производителя:
IXTQ130N20T
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
13,33 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 75A |
Pulsed drain current | 320A |
Power dissipation | 830W |
Case | TO3P |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 16mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 150nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Reverse recovery time | 150ns |