Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 21A | Idm: 125A | 28W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 21A | Idm: 125A | 28W
EB Код: EB1280849657
Код товара производителя: NTH4L080N120SC1
Код товара производителя:
NTH4L080N120SC1
Производитель, бренд: ONSEMI
Производитель, бренд:
ONSEMI
22,04 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика 10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 21A |
| Pulsed drain current | 125A |
| Power dissipation | 28W |
| Case | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -15...25V |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 56nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |