Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 21A | Idm: 125A | 28W

EB Koodi: EB1280849657

Valmistajan tuotekoodi: 
NTH4L080N120SC1

Valmistaja, merkki: 
ONSEMI

 22,20 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa 10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current21A
Pulsed drain current125A
Power dissipation28W
CaseTO247-4
Gate-source voltage-15...25V
On-state resistance80mΩ
MountingTHT
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal