Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 40V | 4.3A | Idm: 20A
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 40V | 4.3A | Idm: 20A
EB Код: EB1106487455
Код товара производителя: SI2356DS-T1-GE3
Код товара производителя:
SI2356DS-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
0,55 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40V |
Drain current | 4.3A |
Pulsed drain current | 20A |
Power dissipation | 1.7W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 70mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 13nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |