Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 40V | 4.3A | Idm: 20A

EB Koodi: EB1106487455

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2356DS-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,55 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current4.3A
Pulsed drain current20A
Power dissipation1.7W
CaseSOT23
Gate-source voltage±12V
On-state resistance70mΩ
MountingSMD
Gate charge13nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced