Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 40V | 600A | Idm: 2kA | 830W
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 40V | 600A | Idm: 2kA | 830W
EB Код: EB1056981223
Код товара производителя: MMIX1T600N04T2
Код товара производителя:
MMIX1T600N04T2
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
45,54 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | GigaMOS™ |
| Technology | TrenchT2™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40V |
| Drain current | 600A |
| Pulsed drain current | 2kA |
| Power dissipation | 830W |
| Case | SMPD |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 590nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Reverse recovery time | 100ns |