Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 40V | 600A | Idm: 2kA | 830W
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 40V | 600A | Idm: 2kA | 830W
EB Koodi: EB1056981223
Valmistajan tuotekoodi: MMIX1T600N04T2
Valmistajan tuotekoodi:
MMIX1T600N04T2
Valmistaja, merkki: IXYS
Valmistaja, merkki:
IXYS
37,52 €
Hinta ilma ALV: tä / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | GigaMOS™ |
| Technology | TrenchT2™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40V |
| Drain current | 600A |
| Pulsed drain current | 2kA |
| Power dissipation | 830W |
| Case | SMPD |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 590nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 100ns |