Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 300V | 102A | Idm: 440A
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 300V | 102A | Idm: 440A
EB Код: EB1385600272
Код товара производителя: MMIX1F160N30T
Код товара производителя:
MMIX1F160N30T
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
57,30 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | GigaMOS™ |
| Technology | HiPerFET™ |
| Technology | Trench™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 300V |
| Drain current | 102A |
| Pulsed drain current | 440A |
| Power dissipation | 570W |
| Case | SMPD |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 367nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Reverse recovery time | 200ns |