Tulkot latviski
Transistor: IGBT | SiC SBD | 650V | 50A | 357W | TO247-3
Transistor: IGBT | SiC SBD | 650V | 50A | 357W | TO247-3
EB Код: EB1021135565
Код товара производителя: BGH50N65HS1
Код товара производителя:
BGH50N65HS1
Производитель, бренд: BASiC SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
BASiC SEMICONDUCTOR
18,87 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | Field Stop |
| Technology | SiC SBD |
| Technology | Trench |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 50A |
| Power dissipation | 357W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 200A |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 308nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 54ns |
| Turn-off time | 256ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |