Tulkot latviski

Transistor: IGBT | SiC SBD | 650V | 50A | 357W | TO247-3

EB Koodi: EB1021135565

Valmistajan tuotekoodi: 
BGH50N65HS1

Valmistaja, merkki: 
BASiC SEMICONDUCTOR

 18,87 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop
TechnologySiC SBD
TechnologyTrench
Collector-emitter voltage650V
Collector current50A
Power dissipation357W
CaseTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current200A
MountingTHT
Gate charge308nC
Kind of packagetube
Turn-on time54ns
Turn-off time256ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode