Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.9A | Idm: 9.6A | 0.32W | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.9A | Idm: 9.6A | 0.32W | ESD
EB Kods: EB741871071
Ražotāja preces kods: DMN3190LDW-7
Ražotāja preces kods:
DMN3190LDW-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,60 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 0.9A |
Pulsed drain current | 9.6A |
Power dissipation | 0.32W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.19Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |