Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 0.9A | Idm: 9.6A | 0.32W | ESD

EB Koodi: EB741871071

Valmistajan tuotekoodi: 
DMN3190LDW-7

Valmistaja, merkki: 
DIODES INCORPORATED

 0,60 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current0.9A
Pulsed drain current9.6A
Power dissipation0.32W
CaseSOT363
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.19Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
VersionESD