Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
EB Kods: EB1818259646
Ražotāja preces kods: P0R5B60HP2-5071
Ražotāja preces kods:
P0R5B60HP2-5071
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,10 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 0.5A |
| Pulsed drain current | 2A |
| Power dissipation | 35W |
| Case | FB (TO252AA) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 10Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 4.3nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |