Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
EB Код: EB1818259646
Код товара производителя: P0R5B60HP2-5071
Код товара производителя:
P0R5B60HP2-5071
Производитель, бренд: SHINDENGEN
Производитель, бренд:
SHINDENGEN
1,11 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 0.5A |
Pulsed drain current | 2A |
Power dissipation | 35W |
Case | FB (TO252AA) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 10Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |