Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A

EB Koodi: EB1818259646

Valmistajan tuotekoodi: 
P0R5B60HP2-5071

Valmistaja, merkki: 
SHINDENGEN

 1,10 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current0.5A
Pulsed drain current2A
Power dissipation35W
CaseFB (TO252AA)
Gate-source voltage±30V
On-state resistance10Ω
MountingSMD
Gate charge4.3nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced