Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 13A | Idm: 51A | 208W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 13A | Idm: 51A | 208W | TO220AB
EB Kodas: EB1987246373
Gamintojo prekės kodas: SIHP24N80AE-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIHP24N80AE-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
4,68 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 13A |
Pulsed drain current | 51A |
Power dissipation | 208W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 184mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 89nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |