Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 13A | Idm: 51A | 208W | TO220AB

EB Kods: EB1987246373

Ražotāja preces kods: 
SIHP24N80AE-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 4,68 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current13A
Pulsed drain current51A
Power dissipation208W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance184mΩ
MountingTHT
Gate charge89nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced