Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 13A | Idm: 51A | 208W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 13A | Idm: 51A | 208W | TO220AB
EB Kood: EB1987246373
Tootja kauba kood: SIHP24N80AE-GE3
Tootja kauba kood:
SIHP24N80AE-GE3
Tootja, kaubamärk: VISHAY
Tootja, kaubamärk:
VISHAY
4,68 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 13A |
Pulsed drain current | 51A |
Power dissipation | 208W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 184mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 89nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |