Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 20V | 7.9A | Idm: 20A
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 20V | 7.9A | Idm: 20A
EB Kodas: EB887403562
Gamintojo prekės kodas: SI3460DDV-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI3460DDV-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,70 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 7.9A |
Pulsed drain current | 20A |
Power dissipation | 1.7W |
Case | TSOP6 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 28mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 18nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |