Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 20V | 7.9A | Idm: 20A

EB Kods: EB887403562

Ražotāja preces kods: 
SI3460DDV-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current7.9A
Pulsed drain current20A
Power dissipation1.7W
CaseTSOP6
Gate-source voltage±8V
On-state resistance28mΩ
MountingSMD
Gate charge18nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced