Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 20V | 7.9A | Idm: 20A

EB Koodi: EB887403562

Valmistajan tuotekoodi: 
SI3460DDV-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

0,55 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current7.9A
Pulsed drain current20A
Power dissipation1.7W
CaseTSOP6
Gate-source voltage±8V
On-state resistance28mΩ
MountingSMD
Gate charge18nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced