Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 27A | Idm: 80A | 241W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 27A | Idm: 80A | 241W
EB Kodas: EB667129382
Gamintojo prekės kodas: B1M080120HC
Gamintojo prekės kodas:
B1M080120HC
Gamintojas, prekės ženklas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
BASiC SEMICONDUCTOR
22,33 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 27A |
Pulsed drain current | 80A |
Power dissipation | 241W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 80mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 149nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |