Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 27A | Idm: 80A | 241W

EB Kodas: EB667129382

Gamintojo prekės kodas: 
B1M080120HC

Gamintojas, prekės ženklas: 
BASiC SEMICONDUCTOR

22,63 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo. 
Užduoti klausimą
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current27A
Pulsed drain current80A
Power dissipation241W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance80mΩ
MountingTHT
Gate charge149nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced