Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -1.3A | 0.5W | SuperSOT-3
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -1.3A | 0.5W | SuperSOT-3
EB Kodas: EB669416673
Gamintojo prekės kodas: FDN352AP
Gamintojo prekės kodas:
FDN352AP
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,72 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -1.3A |
Power dissipation | 0.5W |
Case | SuperSOT-3 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 0.4Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.9nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | logic level |